Сбор средств 15 Сентября 2024 – 1 Октября 2024
О сборе средств
поиск книг
книги
Сбор средств:
22.9% достигнуто
Войти
Войти
авторизованным пользователям доступны:
персональные рекомендации
Telegram бот
история скачиваний
отправить на Email или Kindle
управление подборками
сохранение в избранное
Личное
Запросы книг
Изучение
Z-Recommend
Подборки книг
Самые популярные
Категории
Участие
Поддержать
Загрузки
Litera Library
Пожертвовать бумажные книги
Добавить бумажные книги
Search paper books
Открыть LITERA Point
Поиск ключевых слов
Main
Поиск ключевых слов
search
1
Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique
Romain Cipro
gaas
silicium
figure
croissance
surface
d’antiphase
couche
substrat
parois
température
couches
puits
xas
densité
substrats
quantiques
d’inxga1
phys
matériaux
défauts
appl
dislocations
marches
recuit
growth
matériau
d’ingaas
sio2
ingaas
l’épaisseur
qualité
nucléation
croissances
epitaxie
grown
substrates
tampon
l’épitaxie
d’indium
maille
haute
µm
indium
étapes
composition
coupe
lignes
motifs
propriétés
quantique
Язык:
french
Файл:
PDF, 7.84 MB
Ваши теги:
0
/
0
french
1
Перейдите по
этой ссылке
или найдите бота "@BotFather" в Telegram
2
Отправьте команду /newbot
3
Укажите имя для вашего бота
4
Укажите имя пользователя для бота
5
Скопируйте последнее сообщение от BotFather и вставьте его сюда
×
×