紫外光电子器件 氮化物技术及应用

1 (p1): 第1章 氮化物紫外光电子器件技术及应用概述
1 (p1-1): 摘要
2 (p1-1-1): 1.1背景
3 (p1-1-2): 1.2 UV发光器件及其应用
4 (p1-1-3): 1.3 UV-LED的最新技术和未来挑战
7 (p1-1-4): 1.4 UV-LED的主要参数和器件性能
8 (p1-1-5): 1.5缺陷对UV-LED IQE的作用
10 (p1-1-6): 1.6 UV-LED的电注入效率和工作电压
11 (p1-1-7): 1.7 UV-LED的光提取
12 (p1-1-8): 1.8 UV-LED的热管理与退化
13 (p1-1-9): 1.9展望
14 (p1-1-10): 1.10小结
15 (p1-2): 致谢
15 (p1-3): 参考文献
25 (p2): 第2章AlN体衬底的生长与性能
25 (p2-1): 摘要
26 (p2-1-1): 2.1 AlN晶体的特性与历史
27 (p2-1-2): 2.2 PVT法生长AlN体单晶：理论
29 (p2-1-3): 2.3 PVT法生长AlN体单晶：技术
31 (p2-1-4): 2.4籽晶生长与晶体长大
33 (p2-1-5): 2.5 PVT生长AlN体单晶的结构缺陷
34 (p2-1-6): 2.6 AlN衬底的杂质及相应性质
37 (p2-1-7): 2.7结论与展望
38 (p2-2): 致谢
38 (p2-3): 参考文献
44 (p3): 第3章 蓝宝石衬底上氮化物UV发光器件用AlGaN层气相外延
44 (p3-1): 摘要
45 (p3-1-1): 3.1简介
46 (p3-1-2): 3.2 MOVPE生长Al （Ga） N缓冲层
48 (p3-1-3): 3.3减少MOVPE生长Al （Ga） N层TDD的技术
50 (p3-1-4): 3.4 HVPE生长AlGaN层
50 (p3-1-4-1): 3.4.1 HVPE技术基础
53 (p3-1-4-2): 3.4.2衬底的选择
54 (p3-1-4-3): 3.4.3 HVPE选择生长AlGaN层结果
62 (p3-1-5): 3.5小结
63 (p3-2): 致谢
63 (p3-3): 参考文献
67 (p4): 第4章AlN／AlGaN生长技术和高效DUV -LED开发
67 (p4-1): 摘要
68 (p4-1-1): 4.1简介
68 (p4-1-2): 4.2 DUV-LED研究背景
73 (p4-1-3): 4.3蓝宝石衬底上高质量AlN的生长技术
76 (p4-1-4): 4.4内量子效率（IQE）的显著提高
80 (p4-1-5): 4.5 222～351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED
86 (p4-1-6): 4.6电注入效率（EIE）通过MQB的增加
92 (p4-1-7): 4.7未来高光提取效率（LEE）的LED设计
98 (p4-1-8): 4.8小结
98 (p4-2): 参考文献
101 (p5): 第5章 位错和点缺陷对近带边发射AlGaN基DUV发光材料内量子效率的影响
101 (p5-1): 摘要
103 (p5-1-1): 5.1简介
104 (p5-1-2): 5.2实验细节
107 (p5-1-3): 5.3杂质和点缺陷对AlN近带边发光动力学的影响
112 (p5-1-4): 5.4 AlxGal-x N薄膜的近带边有效辐射寿命
113 (p5-1-5): 5.5硅掺杂及引起的阳离子空位形成对AlN模板上生长Al0.6 Ga0.4 N薄膜近带边发光的发光动力学影响
117 (p5-1-6): 5.6小结
118 (p5-2): 致谢
118 (p5-3): 参考文献
122 (p6): 第6章UV -LED的光偏振和光提取
122 (p6-1): 摘要
123 (p6-1-1): 6.1紫外LED光提取
125 (p6-1-2): 6.2光偏振
127 (p6-1-2-1): 6.2.1影响AlGaN层光偏振开关的因素
130 (p6-1-2-2): 6.2.2光学偏振与衬底方向的关系
132 (p6-1-2-3): 6.2.3光学偏振对光提取效率的影响
134 (p6-1-3): 6.3改善光提取的概念
134 (p6-1-3-1): 6.3.1接触材料与设计
138 (p6-1-3-2): 6.3.2表面制备
144 (p6-1-3-3): 6.3.3封装
145 (p6-2): 参考文献
151 (p7): 第7章 半导体AlN衬底上高性能UVC -LED的制造及其使用点水消毒系统的应用前景
151 (p7-1): 摘要
153 (p7-1-1): 7.1简介
153…